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單晶爐配件之石墨熱場(chǎng)的選購(gòu)

作者:http://njkefeiya.com 發(fā)布時(shí)間:2022-03-30 18:58:40

直拉單晶制造法(Czochralski,CZ法)是把原料多硅晶塊放入石英坩堝中,在單晶爐中加熱融化 ,再將一根直徑只有12mm的棒狀晶種(稱籽晶)浸入融液中。在合適的溫度下,融液中的硅原子會(huì)順著晶種的硅原子排列結(jié)構(gòu)在固液交界面上形成規(guī)則的結(jié)晶,成為單晶體。把晶種慢慢旋轉(zhuǎn)并向上提升,融液中的硅原子會(huì)在前面形成的單晶體上繼續(xù)結(jié)晶,并延續(xù)其規(guī)則的原子排列結(jié)構(gòu)。若整個(gè)結(jié)晶環(huán)境穩(wěn)定,就可以周而復(fù)始地形成結(jié)晶,最后形成一根圓柱形的原子排列整齊的硅單晶晶體,即硅單晶錠。當(dāng)結(jié)晶加快時(shí),晶體直徑會(huì)變粗,提高升速可以使直徑變細(xì),增加溫度能抑制結(jié)晶速度。反之,若結(jié)晶變慢,直徑變細(xì),則通過(guò)降低拉速和降溫去控制。拉晶開(kāi)始,先引出一定長(zhǎng)度,直徑為3~5mm的細(xì)頸,以消除結(jié)晶位錯(cuò),這個(gè)過(guò)程叫做引晶。然后放大單晶體直徑至工藝要求,進(jìn)入等徑階段,直至大部分硅融液都結(jié)晶成單晶錠,只剩下少量剩料。停爐后取出單晶棒,一個(gè)工藝過(guò)程結(jié)束。